今日热点
1. 美光投资西安封测厂逾43亿，引入新产线制造存储产品
2. 金士顿推出全新高速服务器内存产品线
3. SK海力士将向英伟达交付HBM3E样品
4. 华邦电推出8Mb Serial NOR Flash，采用58nm工艺
5. 业内人士：AI芯片发展将带动三星、SK海力士获益
6. 机构：估2026年全球12吋晶圆厂设备支出将高达1190亿美元
7. 争取有成？传英特尔将获德政府近百亿欧元补贴
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美光投资西安封测厂逾43亿，引入新产线制造存储产品
美光科技今（16）日宣布，计划在未来几年中对其位于中国西安的封装测试工厂投资逾43亿元人民币。
公告称，美光科技已决定收购力成半导体（西安）有限公司（力成西安）的封装设备，还计划在美光西安工厂加建新厂房，并引进全新且高性能的封装和测试设备，以期更好地满足中国客户的需求。
此次宣布的新厂房将引入全新产线，用于制造移动DRAM、NAND及SSD产品，以强化西安工厂现有的封装和测试能力。美光筹备该项目已有一段时间，并已启动在西安生产移动DRAM的资质认证工作。
根据此前达成的长期战略协议，力成西安的设备自2016年以来一直在美光全资的厂房中运行。该协议目前已到期。美光预计此项收购项目将在大约一年内完成，需获得中国监管部门批准。
美光将向力成西安1200名全体员工提供新劳动就业合同。新的投资项目还将额外增加500个就业岗位，使美光在中国的员工总数增至4500余人。
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金士顿推出全新高速服务器内存产品线
昨（15）日，存储品牌金士顿宣布，为旗下16GB及32GB Server Premier DDR5 ECC UDIMMs与ECC SODIMMs服务器内存，新增5600MT/s、5200MT/s速度选项，以出色的效能、稳定度与高可靠性，满足企业服务器各种新兴应用的需求。
金士顿表示，全新DDR5 ECC服务器内存不仅每个内存颗粒皆支援on-die ECC (ODECC)，更增加额外内存芯片以搭配支援ECC侦错功能的Intel与AMD服务器处理器，为主流及行动工作站提供更强大的数据完整性与稳定性。
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SK海力士将向英伟达交付HBM3E样品
据韩媒BusinessKorea报道，业内人士称，SK海力士收到英伟达要求提供HBM3E样品的请求，正在准备出货。HBM3E是目前最高规格的DRAM HBM3的下一代，被认为是第5代半导体产品。
SK海力士目前正在开发该产品，目标是明年上半年量产。通常，在产品开发完成后，样品会提供给客户进行认证。
去年6月，SK海力士在全球率先量产了最高性能的DRAM HBM3，占据了市场领导地位，并在通过了对HBM3样品的严格性能评估后，成功供货NVIDIA的H100。
SK海力士成功交付这款第5代产品后，将进一步巩固其在超高速 AI 半导体市场的领先地位。NVIDIA占据了用于人工智能开发的全球图形处理单元 (GPU) 市场的 90% 以上。
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华邦电推出8Mb Serial NOR Flash，采用58nm工艺
近日，华邦电宣布推出Serial NOR Flash的首款产品8Mb 3V W25Q80RV。该产品具备更强的读取性能，尺寸更小，可满足工业与消费类应用场景中边缘设备的需求。
该款8Mb容量Serial Flash由华邦电自有的12寸晶圆厂生产，采用最新一代58nm工艺制造，与采用90nm的前代产品相比，尺寸显著减小。该款产品的KGD和WLCSP版本非常适合用于各种小型物联网设备。
华邦电本次推出的8Mb闪存产品具备更高的读取速度，能够提高系统性能，还为固件OTA和工业应用带来了更快的编程与擦除速度。此外，该款产品更小的外形尺寸和系统内封装（SiP）为各种嵌入式系统带来了更大的价值。
W25Q80RV支持所有主流的单/双/四通道QPI命令和读取模式。W25Q80RV还支持直接从双/四通道SPI （XIP）执行代码以及到RAM的代码映射。该产品采用 2.7V – 3.6V 单电源供电，关断电流低至 1μA。此外，闪存还被整理为4KB的小扇区，在需要代码、数据和参数存储的应用中能够提供更大的灵活性与存储效率。同时能够支持高达133MHz单通道传输和66MHz双通道传输的SPI 时钟频率。读取命令绕行模式（Read Command Bypass Mode）还允许更快的内存读取，从而实现真正的片上执行（XIP）操作。
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业内人士：AI芯片发展将带动三星、SK海力士获益
据韩国时报报道，产业人士6月15日表示，随着英伟达、英特尔、AMD接连发布新款芯片，存储芯片产业也迎来了发展，显现出了繁荣的迹象。这三家芯片巨头是三星电子、SK海力士的重要合作伙伴，在AI芯片的强势带动下，两家韩国企业的股价有望进一步攀升。
用于人工智能运算学习的GPU，以及用于HPC的CPU，均需要与之搭配存储芯片，其中包括SDRAM、HBM。如今英伟达、AMD的GPU均整合了大容量3D堆叠闪存，以及HBM缓存芯片。根据市调机构的统计数据，SK海力士在全球HBM市场的份额达50%，而三星的份额达到40%。
此外，随着英特尔、AMD最新服务器处理器的发布，服务器内存也开始逐渐转向DDR5，进而带动了DDR5内存颗粒的需求。
市场观察人士，近期GPU需求的激增对存储厂商来说是个好消息，带动了HBM3芯片的增长。2022年海力士率先量产HBM3，三星电子在今年也将开始量产这种芯片。强劲而稳定的需求，可能改变存储芯片产业不景气的状况。韩国证券分析师认为，在HBM3、DDR5的带动下，存储芯片的价格将在下半年出现反弹。
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机构：估2026年全球12吋晶圆厂设备支出将高达1190亿美元
SEMI（国际半导体产业协会）公布最新《12吋晶圆厂至2026年展望报告》指出，预期在2023年下修后，全球用于12吋晶圆厂的设备支出将自明年起展开连续成长。受惠高效能运算(HPC)、车用电子的市场强劲，以及对存储需求的增加，将推动未来三年间每年设备资本支出达双位数的高成长率，预计至2026年将达到近1190亿美元的历史新高，韩国可望跃居全球第一。
SEMI预估，今年全球12吋晶圆厂设备支出将下降18%至740亿美元、2024年则将反弹12%达到820亿美元；并在2025年成长24%至1019亿美元，2026年则将进一步成长17%至1188亿美元。
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争取有成？传英特尔将获德政府近百亿欧元补贴
据德国商报、路透社、Seeking Alpha等外媒报道，消息人士透露，英特尔可望自德国政府取得99亿欧元的建厂补贴，相关谈判将于本周末进入尾声，如顺利，英特尔执行长Pat Geisinger和德国政府代表将于下周一（6月19日）在柏林签订协议。
报道指出，额外加码的资金将由德国经济部管理的预算中挪出；外媒日前曾报导，英特尔要求提高德国厂补贴的要求遭到德国财政部长Christian Lindner以「缺乏预算」为由拒绝。
英特尔早在去年即选定德国城市马德堡（Magdeburg）作为新厂落脚的地点。消息人士透露，英特尔原定于去年底动工，却因经济情势不佳、要求额外资金为由延宕至今。
据传英特尔曾于2月指出，由于能源、建筑成本攀升、且新厂需使用更先进的技术，当局有必要提高补贴。
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